WAFER PROCESSING METHOD

PROBLEM TO BE SOLVED: To divide a wafer in such a way that no break or fracture is produced at a chip corner during grinding operation in a wafer processing method obtained by a combining a laser processing method and a grinding method.SOLUTION: A method for processing a wafer W having a surface Wa in which devices D are individually formed in regions defined by a plurality of streets, comprises the steps of: sticking a surface protection tape T to a wafer surface Wa; heating the surface protection tape T and the wafer W after the surface protection tape-sticking step; applying a laser beam, of which the wavelength is permeable to the wafer W, to a wafer backside Wb along each street to form a quality-modified layer in the wafer W after the heating step; and grinding a wafer backside Wb to thin the wafer W to a given thickness and using the quality-modified layer as a starting point to divide the wafer W into individual chips C after the quality-modified layer-forming step.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】レーザ加工方法と研削方法とを組み合わせたウェーハの加工方法において、研削時にチップ角に欠けを生じさせないようにウェーハを分割する。【解決手段】複数のストリートで区画された各領域にそれぞれデバイスＤが形成された表面Ｗａを有するウェーハＷの加工方法であって、ウェーハ表面Ｗａに表面保護テープＴを貼着するステップと、表面保護テープ貼着ステップを実施後、表面保護テープＴとウェーハＷとを加熱するステップと、加熱ステップを実施後、ウェーハＷに対して透過性を有する波長のレーザビームをウェーハ裏面Ｗｂへストリートに沿って照射してウェーハＷの内部に改質層を形成するステップと、改質層形成ステップを実施後、ウェーハ裏面Ｗｂを研削してウェーハＷを所定厚みへと薄化するとともに改質層を起点にウェーハＷを個々のチップＣへと分割する研削ステップと、を備えたウェーハの加工方法である。【選択図】図２