ION IMPLANTATION METHOD AND ION IMPLANTER

PROBLEM TO BE SOLVED: To rapidly adjust the energy of an ion beam with high accuracy.SOLUTION: An ion implantation method comprises the steps of: measuring a beam energy of an ion beam output from a high-energy multistage linear acceleration unit which operates according to a tentative high frequency parameter; adjusting the value of the high frequency parameter based on the measured beam energy; and performing an ion implantation by use of an ion beam output from the high-energy multistage linear acceleration unit which operates according to the adjusted high frequency parameter. The tentative high frequency parameter provides a value different from the value of a high frequency parameter that provides a designed maximum acceleration to a high-frequency resonator of part of the multiple stages including at least the final stage. The adjustment includes the step of changing at least one of a voltage amplitude and a phase, set for the high frequency resonator of part of the multiple stages including at least the final stage.SELECTED DRAWING: Figure 20 【課題】イオンビームのエネルギーを高精度で迅速に調整する。【解決手段】イオン注入方法は、暫定的な高周波パラメータにしたがって動作する高エネルギー多段線形加速ユニットから出力されるイオンビームのビームエネルギーを測定することと、測定されたビームエネルギーに基づいて高周波パラメータの値を調整することと、調整された高周波パラメータにしたがって動作する高エネルギー多段線形加速ユニットから出力されるイオンビームを用いてイオン注入することと、を備える。暫定的な高周波パラメータは、少なくとも最終段を含む一部の段の高周波共振器に対して設計上の最大加速を与える高周波パラメータの値とは異なる値を与える。調整することは、少なくとも最終段を含む一部の段の高周波共振器に対して設定される電圧振幅および位相の少なくとも一方を変更することを含む。【選択図】図２０