MICROWAVE PLASMA SOURCE AND MICROWAVE PLASMA PROCESSING DEVICE

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a microwave plasma source and a microwave plasma processing device which are high in the uniformity of an electric field of microwaves, and which can increase the uniformity of plasma processing in a face of a substrate to be processed.SOLUTION: A microwave plasma so...

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Hauptverfasser: NAKANISHI TOSHIO, KOTANI KOJI, NISHIJIMA SOICHI, KAN SENSHU
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a microwave plasma source and a microwave plasma processing device which are high in the uniformity of an electric field of microwaves, and which can increase the uniformity of plasma processing in a face of a substrate to be processed.SOLUTION: A microwave plasma source 20 comprises: a microwave generator 40; a wave guide 39 for transmitting microwaves in a TE mode; a microwave conversion part 43 which includes a conversion port 38 for converting a microwave vibration mode from the TE mode to a TEM mode, and a coaxial wave guide 37 for transmitting the microwaves from the conversion port 38 to a chamber 1 and converting a remaining TE mode component to the TEM mode; a plane antenna 31 having a plurality of slots 32 for radiating the microwaves guided by the coaxial wave guide 37; and a microwave-permeable plate 28 made of a dielectric and letting the microwaves thus radiated go through itself into the chamber 1. The length of the coaxial wave guide 37 is equal to or larger than the wavelength of the microwaves.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】マイクロ波の電界均一性が高く、被処理基板の面内におけるプラズマ処理の均一性を高くすることができるマイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】マイクロ波プラズマ源20は、マイクロ波発生器40と、マイクロ波をTEモードで伝播する導波管39と、マイクロ波の振動モードをTEモードからTEMモードに変換する変換ポート38、および変換ポート38からマイクロ波をチャンバー1に向けて伝播し、残存しているTEモード成分をTEMモードに変換する同軸導波管37を含むマイクロ波変換部43と、同軸導波管37に導かれたマイクロ波を放射する複数のスロット32を有する平面アンテナ31と、放射されたマイクロ波をチャンバー1に透過する、誘電体からなるマイクロ波透過板28とを有し、同軸導波管37の長さは、マイクロ波の波長以上の長さである。【選択図】図1