SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device manufacturing method which can minimize parasitic capacitance of an element arranged between an input/output terminal and a ground for inhibiting decrease in a transmission rate of a signal.SOLUTION: A semiconductor device manufacturing method comprises a step of forming a low-concentration epitaxial layer in which by performing a low temperature growing step after a high temperature growing step, an impurity diffusing from an embedded layer in a lower layer and an impurity outwardly diffusing from a semiconductor substrate are prevented from being introduced into the epitaxial layer formed in the low-temperature growing step and a low-concentration epitaxial layer is formed.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】信号の伝送速度の低速化を抑制するために、入出力端子とグランド間に配置される素子の寄生容量をできるだけ小さくできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】低濃度のエピタキシャル層を形成する工程において、高温成長工程の後に低温成長工程を行うことで、下層の埋め込み層から拡散する不純物と半導体基板から外方拡散される不純物が低温成長工程で形成されるエピタキシャル層中に取り込まれることを抑制して低濃度のエピタキシャル層を形成する。【選択図】図３