WAFER PROCESSING METHOD

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer processing method capable of dividing a wafer into chips while suppressing generation of a chip and a crack.SOLUTION: A method for manufacturing a wafer having a surface on which a device is formed in each of the regions partitioned by a plurality of intersecting streets comprises: a surface protective tape sticking step of sticking a surface protective tape to a surface of the wafer; a modified layer forming step of forming a modified layer inside the wafer by irradiating the wafer with a laser beam of a wavelength having permeability to the wafer from a rear surface side of the wafer along the streets after performing the surface protective tape sticking step; and a grinding step of thinning the wafer by grinding from the rear surface side of the wafer after performing the modified layer forming step. The surface protective tape sticking step sticks the surface protective tape to the surface of the wafer while heating the tape. The modified layer forming step or the grinding step forms a crack reaching from the modified layer to the surface of the wafer. The grinding step forms individual chips by diving the wafer with the crack as a boundary.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】欠けやクラックの発生を抑制しつつウェーハをチップに分割する。【解決手段】交差する複数のストリートで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成された表面を有するウェーハの加工方法であって、ウェーハの該表面に表面保護テープを貼着する表面保護テープ貼着ステップと、該表面保護テープ貼着ステップを実施した後、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを該ストリートに沿ってウェーハ裏面側から照射してウェーハの内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施した後、ウェーハを裏面側から研削して薄化する研削ステップと、を備え、該表面保護テープ貼着ステップでは、該表面保護テープを加熱しながら貼着し、該改質層形成ステップまたは研削ステップでは、該改質層から該ウェーハの表面に至るクラックを形成し、該研削ステップにおいては、該クラックを境界としてウェーハを分割して個々のチップを形成する。【選択図】図１