SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology capable of reducing the number of processes at manufacturing a trench gate type silicon carbide semiconductor device.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a first trench (80); a second trench (50a); a plurality of third trenches (50b); a first protection diffusion layer (83) of a second conductivity type; a second protection diffusion layer (70) of the second conductivity type; and third protection diffusion layers (71) of the second conductivity type formed at lower parts of the respective third trenches (50b). The respective third trenches (50b) are formed so as to be shallower as they are separated from a cell region. Lower surfaces of the respective third protection diffusion layers (71) become shallower as they are separated from the cell region.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】本願明細書に開示される技術は、トレンチゲート型の炭化珪素半導体装置の製造する際の、工程数を減少させることができる技術に関するものである。【解決手段】本技術に関する半導体装置は、第１のトレンチ（８０）と、第２のトレンチ（５０ａ）と、複数の第３のトレンチ（５０ｂ）と、第２の導電型の第１の保護拡散層（８３）と、第２の導電型の第２の保護拡散層（７０）と、それぞれの第３のトレンチ（５０ｂ）の下部に形成される、第２の導電型の第３の保護拡散層（７１）とを備え、それぞれの第３のトレンチ（５０ｂ）は、セル領域から離れるにつれて浅く形成され、それぞれの第３の保護拡散層（７１）の下面は、セル領域から離れるにつれて浅くなる。【選択図】図２