METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and apparatus for manufacturing a silicon single crystal, capable of enhancing the controllability and robustness of pulling speed of the silicon single crystal.SOLUTION: A method for manufacturing a silicon single crystal comprises growing a silicon single crystal C from a silicon melt M stored in a crucible 2 by the Czochralski method. When the temperature of a meniscus portion P1 having a contact between the outermost periphery of the silicon single crystal during growth and the silicon melt is A (K); a distance in the radially outer direction of the silicon melt from the meniscus portion of the silicon single crystal during the growth is L (mm); and the temperature of the free surface FS of the silicon melt at a position P2 having the distance L is B (K), the silicon single crystal is grown on the manufacturing condition that a temperature gradient Gs on the free surface of the silicon melt defined by Gs(K/mm)=(B-A)/1000L monotonously decreases with the increase of the distance L.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】シリコン単結晶の引き上げ速度の制御性およびロバスト性を高めることができるシリコン単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】チョクラルスキー法により坩堝２に収容したシリコン融液Ｍからシリコン単結晶Ｃを育成するシリコン単結晶の製造方法において、育成中のシリコン単結晶の最外周とシリコン融液との接点であるメニスカス部Ｐ１の温度をＡ（Ｋ）、前記育成中のシリコン単結晶の前記メニスカス部を起点とする前記シリコン融液の半径外側方向への距離をＬ（ｍｍ）、前記距離Ｌの位置Ｐ２における前記シリコン融液の自由表面ＦＳの温度をＢ（Ｋ）とした場合に、Ｇｓ（Ｋ／ｍｍ）＝（Ｂ−Ａ）／１０００Ｌで定義されるシリコン融液の自由表面上の温度勾配Ｇｓが、前記距離Ｌの増加に伴い単調減少となる製造条件にて、前記シリコン単結晶を育成する。【選択図】 図２