SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which enables the enhancement in avalanche resistance while retaining a breakdown voltage, and a method for manufacturing the semiconductor device.SOLUTION: In a super junction semiconductor device, argon working as an electron trap is introduced into a p-type region 4 of a parallel pn-layer 5. In the parallel pn-layer 5, each region (argon-introduced region) 14 into which the argon is introduced is spaced apart from a pn junction between the p-type region 4 and an n-type region 3, and disposed in the p-type region 4. The argon-introduced regions 14 are each formed by performing argon ion implantation on a plurality of epitaxial growth layers laminated to form the parallel pn-layer 5 respectively, and they are disposed so as to be spaced apart from each other in a depth direction at intervals x1 depending on a thickness of each epitaxial growth layer. After ion implantation to form the p-type region 4 of the parallel pn-layer 5, the argon-introduced regions 14 are formed by argon ion implantation while using a mask for ion implantation to form the p-type region 4.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】耐圧を維持するとともに、アバランシェ耐量を向上させることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】超接合半導体装置において、並列ｐｎ層５のｐ型領域４に、電子トラップとして機能するアルゴンが導入されている。並列ｐｎ層５の内部の、アルゴンが導入された領域（アルゴン導入領域）１４は、ｐ型領域４とｎ型領域３との間のｐｎ接合と離して、ｐ型領域４に配置されている。また、アルゴン導入領域１４は、並列ｐｎ層５を形成するために積層される複数のエピタキシャル成長層にそれぞれアルゴンをイオン注入して形成され、当該エピタキシャル成長層の厚さに応じた間隔ｘ１で深さ方向に互いに離して複数配置される。アルゴン導入領域１４は、並列ｐｎ層５のｐ型領域４を形成するためのイオン注入の後に、当該ｐ型領域４を形成するためのイオン注入用マスクを用いてアルゴンをイオン注入することで形成される。【選択図】図１