HETEROACENE DERIVATIVE, ORGANIC SEMICONDUCTOR LAYER, AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel heteroacene derivative that is a coating type organic semiconductor material having high carrier mobility, high solubility and high oxidation resistance, and an organic semiconductor layer and an organic thin film transistor prepared therewith.SOLUTION: The present invention provides a heteroacene derivative represented by general formula (1) (where, substituents R-Rindependently represent hydrogen, halogen, a C1-C20 alkyl group, a C1-C20 acyl group, a C4-C20 aryl group, a C2-C20 alkenyl group, or a C2-C20 alkynyl group; substituents Rand Rindependently represent hydrogen, halogen, a C1-C20 acyl group, a C4-C20 aryl group, a C2-C20 alkenyl group, or a C2-C20 alkynyl group, excluding the case where all of the substituents R-Rare hydrogen at the same time. T-Tindependently represent a sulfur atom, an oxygen atom, or a selenium atom).SELECTED DRAWING: None 【課題】 高いキャリア移動度、高溶解性及び高耐酸化性を持つ塗布型の有機半導体材料である新規なヘテロアセン誘導体、これを用いた有機半導体層及び有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 下記一般式（１）で示されるヘテロアセン誘導体。【化１】（ここで、置換基Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアシル基、炭素数４〜２０のアリール基、炭素数２〜２０のアルケニル基、又は炭素数２〜２０のアルキニル基を示す。置換基Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、炭素数１〜２０のアシル基、炭素数４〜２０のアリール基、炭素数２〜２０のアルケニル基、又は炭素数２〜２０のアルキニル基を示す。ただし、置換基Ｒ１〜Ｒ８が全て同時に水素である場合を除く。Ｔ１〜Ｔ３は、それぞれ独立して硫黄原子、酸素原子、又はセレン原子を示す。）【選択図】 なし