LASER PROCESSING APPARATUS AND LASER PROCESSING METHOD
PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent an inner resin layer from processed at the time of processing of a layer on a surface side when a multilayer resin substrate is fully cut processed by a laser processing apparatus.SOLUTION: A laser processing apparatus 1 is an apparatus for cutting a multilayer resin...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent an inner resin layer from processed at the time of processing of a layer on a surface side when a multilayer resin substrate is fully cut processed by a laser processing apparatus.SOLUTION: A laser processing apparatus 1 is an apparatus for cutting a multilayer resin substrate P having a first resin layer L1 and a second resin layer L2 from a surface side, and has a first laser oscillator 9A and a second laser oscillator 9B. The first laser oscillator 9A is a device for generating first laser light R1 for cutting the first resin layer L1. The first laser light R1 has lower absorptivity to the second resin layer L2 than that to the first resin layer L1. The second laser oscillator 9B is a device for generating second laser light R2 for cutting the second resin layer L2. The second laser light R2 has lower absorptivity to the second resin layer L2 than that to the first resin layer L1.SELECTED DRAWING: Figure 4
【課題】レーザ加工装置によって複層樹脂基板をフルカット加工する際に、表面側の層の加工時に内側の樹脂層が加工されにくくする。【解決手段】レーザ加工装置1は、表面側から第1樹脂層L1と第2樹脂層L2とを有する複層樹脂基板Pを切断するための装置であって、第1レーザ発振器9Aと、第2レーザ発振器9Bとを備えている。第1レーザ発振器9Aは、第1樹脂層L1を切断するための第1レーザ光R1を発生する装置である。第1レーザ光R1は、第1樹脂層L1に対するよりも第2樹脂層L2に対して吸収率が低い。第2レーザ発振器9Bは、第2樹脂層L2を切断するための第2レーザ光R2を発生する装置である。第2レーザ光R2は、第1樹脂層L1に対するよりも第2樹脂層L2に対して吸収率が高い。【選択図】図4 |
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