RUTHENIUM WIRING LINE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the occurrence of deformation, such as a wiring pattern collapse or twist, by controlling a stress caused in a wiring line, and to readily perform planarization after embedding a ruthenium film in a recessed portion, such as a trench.SOLUTION: A method for producing a ruthenium wiring line 207 on a substrate W having an interlayer insulative film 202 with a trench 203 and a via-hole 204 formed in its surface by means of filling the trench 203 and the via-hole 204 comprises the steps of: forming a TiON film 205 as a base layer at least on the surface of the trench 203 and the via-hole 204; thereafter forming, on the TiON film 205, a ruthenium film 206 so as to fill the trench 203 and the via-hole 204; and planarizing the ruthenium film 206 and the base layer 211 on the surface by a removal process including argon plasma processing after forming the base layer 211 and then, forming the ruthenium film 206.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】配線に生じるストレスを制御して、配線パターンの倒れやうねりといった変形が生じることを抑制する。また、トレンチ等の凹部内にルテニウム膜を埋め込んだ後、平坦化を容易に行う。【解決手段】表面にトレンチ２０３およびビアホール２０４が形成された層間絶縁膜２０２を有する基板Ｗに対し、トレンチ２０３およびビアホール２０４を埋めてルテニウム配線２０７を製造するにあたり、少なくともトレンチ２０３およびビアホール２０４の表面に、下地膜としてＴｉＯＮ膜２０５を形成し、その後、ＴｉＯＮ膜２０５の上にトレンチ２０３およびビアホール２０４を埋めるようにルテニウム膜２０６を形成する。また、下地膜２１１を形成し、その後ルテニウム膜２０６を形成した後、表面のルテニウム膜２０６および下地膜２１１を、アルゴンプラズマ処理を含む除去処理により平坦化する。【選択図】図２