NITRIDE SEMICONDUCTOR ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING ELEMENT

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element having an active layer of good optical output.SOLUTION: A nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element includes a foundation part 10 including a substrate 11 composed of sapphire having a surface where multistep terrace is formed by inclining for the (0001) plane, and an AlN layer 12 formed on the surface of the substrate, and a light emitting part 20 formed on the surface of the foundation part, and including an active layer 22 having an AlGaN-based semiconductor layer. At least the AlN layer of the foundation part, the active layer in the light emitting part and each layer therebetween are formed of step flow growth, i.e., two-dimensional growth caused by growth of the lateral face of the multistep terrace, the active layer has a quantum well structure including at least one well layer 22a composed of AlGaN, and on the surface of the active layer, average roughness in a region of 25 μm square is between the thickness of the well layer and 10 nm.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】光出力が良好な活性層を有する窒化物半導体紫外線発光素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体紫外線発光素子は、（０００１）面に対して傾斜することで多段状のテラスが形成された表面を有するサファイアから成る基板１１と、基板の表面上に形成されるＡｌＮ層１２と、を含む下地部１０と、下地部の表面上に形成される、ＡｌＧａＮ系半導体層を有する活性層２２を含む発光部２０と、を備える。少なくとも、下地部のＡｌＮ層、発光部における活性層及びその間の各層が、多段状のテラスの側面が成長することで二次元成長するステップフロー成長によって形成されており、活性層が、ＡｌＧａＮで構成される井戸層２２ａを少なくとも１つ含む量子井戸構造を有し、活性層の表面において、２５μｍ四方の領域における平均粗さが、井戸層の厚さ以上かつ１０ｎｍ以下になる。【選択図】図１