THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film transistor substrate which can suppress the reduction of a TFT threshold voltage.SOLUTION: A TFT substrate 20 comprises: a base 110; an undercoat layer 120; an oxide semiconductor layer 130 having a channel region 131, a source region 132 and a drain region 133; a gate insulator layer 140; a gate electrode layer 150 provided on the gate insulator layer 140 at a position opposed to the channel region 131; an aluminum oxide layer 160 capable of suppressing hydrogen transmission through itself, which is provided so as to cover surfaces of the gate electrode layer 150, the source region 132 and the drain region 133, and the undercoat layer 120; and a hydrogen-suppressing layer 190 capable of suppressing hydrogen transmission through itself, which is provided on the undercoat layer 120. The hydrogen-suppressing layer 190 is provided in a region which is not coincident with the oxide semiconductor layer 130, which is one of regions extending along end faces of the gate electrode layer 150 in plan view.SELECTED DRAWING: Figure 5 【課題】ＴＦＴの閾値電圧の低下が抑制された薄膜トランジスタ基板を提供する。【解決手段】ＴＦＴ基板２０は、基板１１０と、アンダーコート層１２０と、チャネル領域１３１、ソース領域１３２及びドレイン領域１３３を有する酸化物半導体層１３０と、ゲート絶縁層１４０と、ゲート絶縁層１４０上のチャネル領域１３１に対向する位置に設けられたゲート電極層１５０と、ゲート電極層１５０、ソース領域１３２及びドレイン領域１３３、並びに、アンダーコート層１２０の表面を覆うように設けられた、水素の透過を抑制する酸化アルミニウム層１６０と、アンダーコート層１２０上に設けられた、水素の透過を抑制する水素抑制層１９０とを備え、水素抑制層１９０は、平面視において、ゲート電極層１５０の端面に沿った領域のうち酸化物半導体層１３０に重複しない領域に設けられている。【選択図】図５