POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that, when performing transfer molding for a heat radiation surface of a power module, since high heat conductivity fillers contained in a resin tend to be diffused to a flow center part where a shear speed is low, a filling factor of the fillers is low on interfaces between a heat sink and the resin and between a lead frame and the resin, and a skin layer which is epoxy-rich and of which the heat conductivity is partially low is formed, this region disturbs heat radiation from the lead frame and becomes a factor that disturbs heat radiation improvement of a power semiconductor device, when the filling factor of fillers is increased, since viscosity of the resin is increased, an injection property of the resin during molding is reduced and a void or a short shot may be generated.SOLUTION: In a power semiconductor device, a surface on which a semiconductor element is mounted is encapsulated by an insulation resin, and a heat radiation surface is molded with a high heat radiation surface resin. A surface of a lead frame at the side of the heat radiation surface, uneven parts are provided, and fillers contained in the heat radiation surface resin for forming the heat radiation surface are distributed over the uneven parts.SELECTED DRAWING: Figure 7 【課題】パワーモジュールの放熱面をトランスファー成型する際、せん断速度が小さい流動中央部に樹脂中に含まれる高熱伝導フィラーが拡散する傾向があるため、ヒートシンクと樹脂、リードフレームと樹脂の界面はフィラーの充填率が低く、エポキシリッチな部分的に熱伝導率が低いスキン層が形成される。この領域がリードフレームからの放熱を妨げ、パワー半導体装置の高放熱性化の阻害要因となっている。一方、フィラーの充填率を高くすると、樹脂の粘度が高くなることから成型時の樹脂の注入性が悪くなり、ボイドあるいはショートショットが発生する。【解決手段】半導体素子が実装されている面を絶縁樹脂で封止し、放熱面を高放熱面樹脂で成型するパワー半導体装置において、放熱面側のリードフレーム表面に凹凸部が設けられ、放熱面を形成する放熱面樹脂に含まれるフィラーが凹凸部に分布していることを特徴とする。【選択図】 図７