ELECTRODE BUILT-IN SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, INDUCTANCE ELEMENT, INTERPOSER, SHIELD SUBSTRATE AND MODULE

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrode built-in substrate and manufacturing method therefor, inductance element having the same, interposer, shield substrate and module, capable of preventing a beam from being destroyed due to overetching by using a SOI substrate, thus making an isolation layer in the SOI substrate become an etching stop layer.SOLUTION: The electrode built-in substrate includes: an SOI substrate 12; a wiring layer 26embedded into a groove 25formed inside the SOI substrate 12; an etching stop layer 6 inside the SOI substrate 12 except the wiring layer 26; and beam parts 28*28*28arranged on a rear face opposing to a surface of the SOI substrate 12.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】ＳＯＩ基板を使用し、ＳＯＩ基板内部の絶縁層がエッチストップ層となり、オーバーエッチによる梁の破壊を防止できる電極内蔵基板およびその製造方法、およびこの電極内蔵基板を適用したインダクタンス素子、インターポーザ、シールド基板およびモジュールを提供する。【解決手段】電極内蔵基板は、ＳＯＩ基板１２と、ＳＯＩ基板１２の内部に形成された溝部２５1に埋め込まれた配線層２６1と、配線層２６1を除く、ＳＯＩ基板１２の内部に形成されたエッチストップ層６と、ＳＯＩ基板１２の表面に対向する裏面に配置された梁部２８1・２８2・２８3とを備える。【選択図】図２