METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE CRYSTAL AND RAMO4 CONTAINING SUBSTRATE

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a high quality group III nitride crystal on a RAMOsubstrate by a flux method.SOLUTION: The method for manufacturing a group III nitride crystal comprises: a protective layer forming step of forming a protective layer in a region except the epitaxial growth surface of a RAMOsubstrate consisting of a single crystal body represented by a general formula RAMO(where, R represents one or more trivalent elements selected from a group consisting of Sc, In, Y and lanthanoid elements; A represents one or more trivalent elements selected from a group consisting of Fe(III), Ga and Al; and M represents one or more divalent selected from a group consisting of Mg, Mn, Fe(II), Co, Cu, Zn and Cd); and a crystal forming step of forming the group III nitride crystal on the epitaxial growth surface of the RAMOsubstrate by a flux method.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】ＲＡＭＯ４基板上に高品質なIII族窒化物結晶をフラックス法により製造する方法を提供すること。【解決手段】一般式ＲＡＭＯ４で表される単結晶体（一般式において、Ｒは、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｙ、およびランタノイド系元素からなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Ａは、Ｆｅ（III）、Ｇａ、およびＡｌからなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Ｍは、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｆｅ（II）、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、およびＣｄからなる群から選択される一つまたは複数の二価の元素を表す）からなるＲＡＭＯ４基板のエピタキシャル成長面以外の領域に、保護層を形成する保護層形成工程と、前記ＲＡＭＯ４基板のエピタキシャル成長面上に、III族窒化物結晶をフラックス法により形成する結晶形成工程と、を含む、III族窒化物結晶の製造方法。【選択図】図１