MICROWAVE ION SOURCE AND ION GENERATION METHOD
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique for controlling an extraction form of ions extracted from a plasma chamber.SOLUTION: A microwave ion source 10 comprises: a plasma chamber 12 having a microwave introduction part 26 for introducing microwaves into a plasma chamber 12 in an axial direction...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; jpn |
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Zusammenfassung: | PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique for controlling an extraction form of ions extracted from a plasma chamber.SOLUTION: A microwave ion source 10 comprises: a plasma chamber 12 having a microwave introduction part 26 for introducing microwaves into a plasma chamber 12 in an axial direction, an ion extraction part 22 provided at a position opposed to the microwave introduction part 26 in the axial direction and a side wall part 20 connecting between the microwave introduction part 26 and the ion extraction part 22; an axial direction magnetic field generator 16 provided outside the plasma chamber 12 and generating an axial direction magnetic field in the plasma chamber 12; and a cusp field generator 50 provided outside the plasma chamber 12 and generating a cusp magnetic field in the plasma chamber 12. The cusp field generator 50 is arranged to be able to switch a cusp magnetic field intensity in the plasma chamber 12.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】プラズマ室から引き出されるイオンの引出態様を制御する技術を提供する。【解決手段】マイクロ波イオン源10は、プラズマ室12内にマイクロ波を軸方向に導入するためのマイクロ波導入部26と、マイクロ波導入部26と軸方向に対向する位置に設けられるイオン引出部22と、マイクロ波導入部26とイオン引出部22の間を接続する側壁部20と、を有するプラズマ室12と、プラズマ室12外に設けられ、プラズマ室12内に軸方向磁場を発生させる軸方向磁場発生器16と、プラズマ室12外に設けられ、プラズマ室12内にカスプ磁場を発生させるカスプ磁場発生器50と、を備える。カスプ磁場発生器50は、プラズマ室12内のカスプ磁場強度の切り替えが可能となるように構成される。【選択図】図1 |
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