OPTICAL SYSTEM FOR ANNEALING POLY-SILICON THIN FILM BY LASER
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gas discharge laser crystallization apparatus for performing transformation of crystal growth or orientation in a film on a workpiece.SOLUTION: A laser system is configured as a POPA laser system and further comprises: a relay optical system operative to direct a f...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; jpn |
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Zusammenfassung: | PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gas discharge laser crystallization apparatus for performing transformation of crystal growth or orientation in a film on a workpiece.SOLUTION: A laser system is configured as a POPA laser system and further comprises: a relay optical system operative to direct a first output laser light pulse beam from a first laser PO unit into a second laser PA unit; and a timing and control module adjusting timing of occurrence of gas discharge in the first and second laser units within plus or minus 3 nsec, to produce the second laser output light pulse beam as amplification of the first laser output light pulse beam. The system comprises a divergence control part in an oscillator laser unit. The divergence control part comprises an unstable oscillation control part. The system further comprises a beam pointing control mechanism and a beam position control mechanism, between the laser and the workpiece.SELECTED DRAWING: Figure 6
【課題】被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行するためのガス放電レーザ結晶化装置を提供する。【解決手段】レーザシステムはPOPAレーザシステムとして構成され、第1レーザPOユニットから第2レーザPAユニットに第1出力レーザ光パルスビームを方向付けるように動作されるリレー光学系と、第1レーザ出力光パルスビームの拡大として第2レーザ出力光パルスビームを発生するように、パルス又は−3nsec内で第1及び第2レーザユニットにおいてガス放電の発生のタイミングを合わせるタイミング及び制御モジュールとを更に有する。発信器レーザユニットにおいて発散制御部を有する。発散制御部は不安定発振制御部を有する。レーザと被加工物との中間にビームポインティング制御機構及びビーム位置制御機構を更に有する。【選択図】図6 |
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