LOAD SENSOR

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a load sensor capable of widening a detection range of a load.SOLUTION: A load sensor comprises a substrate 1 and sensor devices 2 each having a rib 21 formed on the substrate 1 and a transistor 22 formed on a surface of the rib 21. The rib 21 is deformed by a load applied. The transistor 22 is a vertical transistor. The transistor 22 has a gate electrode 23 formed on a side of the rib 21, a gate insulating film 24 formed on a surface of the gate electrode 23, a semiconductor layer 25 formed so as to face the gate electrode 23 with the gate insulating film 24 therebetween, a bottom electrode layer 26 formed on the bottom of an area of the substrate 1 on which the rib 21 is not formed in such a manner that the bottom electrode layer 26 is in contact with the semiconductor layer 25, and a top electrode layer 27 formed on the top of the rib 21 in such a manner that the top electrode layer 27 is in contact with the semiconductor layer 25. The number of the sensor devices 2 is two. The rib 21 of one sensor device 2 and the rib 21 of the other sensor device 2 is different from each other in height.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】荷重の検出範囲を広げることが可能な荷重センサを提供する。【解決手段】基板１と、基板１に形成されたリブ２１、および、リブ２１の表面に形成されたトランジスタ２２を有するセンサ素子２と、を備え、リブ２１は、荷重が加えられることにより変形し、トランジスタ２２は、リブ２１の側面に形成されたゲート電極２３と、ゲート電極２３の表面に形成されたゲート絶縁膜２４と、ゲート絶縁膜２４を挟んでゲート電極２３と対向するように形成された半導体層２５と、基板１のうちリブ２１が形成されていない部分の底面において半導体層２５と接するように形成された底部電極層２６と、リブ２１の上部において半導体層２５と接するように形成された頂部電極層２７と、を有する縦型トランジスタであり、センサ素子２は、２つ備えられており、一方のセンサ素子２が有するリブ２１と、他方のセンサ素子２が有するリブ２１とは、互いに高さが異なる。【選択図】図２