SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon carbide semiconductor device which can inhibit extension of a defect caused by an operation of a body diode to ensure stability as a switching element even in an operation under high-voltage, high-power and high-temperature conditions.SOLUTION: A silicon carbide semiconductor device comprises: p-type well regions 13 formed in a plurality of parts of a surface part on one side of an n-type epitaxial layer 12 in a thickness direction; n-type source regions 14 formed inside respective well regions 13; p-type well contact regions 15 formed in part of respective source regions 14; a gate electrode 22 formed via a gate insulation film 21, from a portion of a surface of the source region 14 across a surface of the well region 13 and a surface of the epitaxial layer 12; an interlayer insulation film 23 formed on the gate electrode 22; a source electrode 24 formed on the interlayer insulation film 23; and a drain electrode 26 formed via a Schottky electrode 25, on a surface part of the other side of the epitaxial layer 12 in the thickness direction.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】高電圧、大電力、高温という条件下での動作においても、ボディダイオードの動作による欠陥の拡張を抑制し、スイッチング素子としての安定性を確保することができる炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】ｎ型のエピタキシャル層１２の厚み方向一方側の表面部分における複数の部分に、ｐ型のウェル領域１３を形成する。ウェル領域１３の内部に、ｎ型のソース領域１４を形成し、ソース領域１４の一部分にｐ型のウェルコンタクト領域１５を形成する。ソース領域１４上の一部分からウェル領域１３上およびエピタキシャル層１２上にわたって、ゲート絶縁膜２１を介してゲート電極２２を形成する。ゲート電極２２上に層間絶縁膜２３を形成する。層間絶縁膜２３の上にソース電極２４を形成する。エピタキシャル層１２の厚み方向他方側の表面部に、ショットキー電極２５を介して、ドレイン電極２６を形成する。【選択図】図１