MANUFACTURING METHOD OF MICROPHONE CHIP

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a microphone chip.SOLUTION: In a manufacturing method, a microphone chip is obtained by: providing a first substrate; deposing an insulation oxidation layer to both sides; deposing a device layer to the insulation oxidation layer; deposing a tetraethoxysilane oxidation layer to the device layer; exposing the device layer by etching the tetraethoxysilane oxidation layer; removing the tetraethoxysilane oxidation layer in a second surface; patterning a deposition layer of the first substrate; providing a second substrate having an oxidation layer and a single crystal silicon layer; deposing the oxidation layer to a base and the single crystal silicon layer in each other; patterning the oxidation layer by etching; opening a back board; connecting the first and second substrates by welding the tetraethoxysilane oxidation layer in the first substrate and the oxidation layer in the second substrate in a room temperature; forming a back chamber by etching the second substrate; and opening an oscillation film by etching the first substrate.SELECTED DRAWING: Figure 12 【課題】マイクロホンチップの製造方法を提供する。【解決手段】この製造方法では、第１基板を提供し、両側にそれぞれ絶縁酸化層を沈着し、絶縁酸化層にそれぞれデバイス層を沈着し、デバイス層にそれぞれテトラエトキシシラン酸化物層を沈着し、テトラエトキシシラン酸化物層をエッチングしてデバイス層を露出して、第２の表面におけるテトラエトキシシラン酸化物層を除去し、第１基板の各沈着層をパターニングし、ベース、酸化物層及び単結晶シリコン層を備える第２の基板を提供し、ベースとその単結晶シリコン層にそれぞれ酸化物層を沈着し、該酸化物層をエッチングしパターニングし、裏板を開放させ、第１基板におけるテトラエトキシシラン酸化物層と第２の基板における酸化物層とを室温で溶接することにより第１基板と第２の基板とを結合し、第２の基板をエッチングすることにより裏室を形成し、第１基板をエッチングすることにより振動膜を開放させ、マイクロホンチップを得る。【選択図】図１２