METHOD FOR EVALUATING SILICON WAFER AND USE THEREOF

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide means for lengthening the recombination lifetime measured by a μ-PCD method to increase the sensitivity of metal contamination evaluation on the basis of recombination lifetime measured by the μ-PCD method conducted in the field of manufacturing silicon wafers.SOLUTION: A method for evaluating a silicon wafer includes: subjecting a silicon wafer to be evaluated to a thermal oxidation treatment; applying a corona discharge treatment to a surface of the silicon wafer after the thermal oxidation treatment; measuring the recombination lifetime for use in the evaluation of silicon wafers by a μ-PCD method on the surface of the silicon wafer subjected to the corona discharge treatment; and evaluating the silicon wafer to be evaluated based on the measurement result of the recombination lifetime for use in the evaluation of the silicon wafer. The corona discharge treatment is performed according to a criterion determined according to the recombination lifetime after the thermal oxidation treatment.SELECTED DRAWING: None 【課題】シリコンウェーハの製造分野において行われるμ−ＰＣＤ法により測定される再結合ライフタイムに基づく金属汚染評価の高感度化のために、μ−ＰＣＤ法により測定される再結合ライフタイムを長くするための手段を提供すること。【解決手段】評価対象シリコンウェーハに熱酸化処理を施すこと、熱酸化処理後のシリコンウェーハの表面にコロナ放電処理を施すこと、コロナ放電処理を施したシリコンウェーハ表面において、μ−ＰＣＤ法により、シリコンウェーハの評価に用いるための再結合ライフタイムを測定すること、前記シリコンウェーハの評価に用いるための再結合ライフタイムの測定結果に基づき評価対象シリコンウェーハを評価すること、を含み、前記コロナ放電処理を、熱酸化処理後の再結合ライフタイムに応じて決定される基準にしたがい行うシリコンウェーハの評価方法。【選択図】なし