SEMICONDUCTOR DEVICE

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which can inhibit an increase in size and has excellent heat dissipation efficiency.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a multilayer substrate in which openings made by through holes 54, 55 piercing the multilayer substrate from a surface to a rear face are formed; metal plates 56, 57 which overlap the openings and are mounted on a rear face pattern of the multilayer substrate by solder; power elements 37, 38 having electrodes mounted on a surface pattern 125a via leads 37c, 38c, respectively, and the other electrodes 37b, 38b mounted on mounting pads of the metal plates 56, 57 via solder, respectively; a control IC mounted on the surface pattern or on the rear face pattern via solder, for controlling the power element 38; and an aluminum case 30 thermally connected with the power elements 37, 38 via the metal plates 56, 57, respectively.SELECTED DRAWING: Figure 12 【課題】大型化を抑制することができるとともに放熱効率が良い半導体装置を提供する。【解決手段】多層基板には表面から裏面にかけて貫通する貫通孔５４，５５からなる開口部が形成されている。多層基板の裏面パターンには開口部と重なる金属板５６，５７が半田で実装されている。パワー素子３７，３８の一方の電極はリード３７ｃ，３８ｃを介して表面パターン１２５ａに半田で実装されるとともにパワー素子３７，３８の他方の電極３７ｂ，３８ｂは金属板５６，５７の実装パッドに対して半田で実装されている。表面パターンまたは裏面パターンにはパワー素子３８を制御する制御ＩＣが半田で実装されている。パワー素子３７，３８とアルミケース３０とは金属板５６，５７を介して熱的に繋がっている。【選択図】図１２