SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sapphire single crystal capable of surely reducing a transition distance (ΔT) from a neck to a barrel and realizing ΔT reduction without complicating a manufacturing apparatus and a high cost, and a manufacturing method of the same.SOLUTION: A manufacturing method includes steps of: accommodating a die having a slit in a crucible; preparing an aluminum oxide melt by putting aluminum oxide raw material into the crucible and heating it to be molten; forming an aluminum oxide melt pool in an upper part of the slit; and growing a sapphire single crystal 2 having a desired plane via a neck from a seed crystal by contacting the seed crystal with the aluminum oxide melt and lifting the seed crystal. A center position of the slit and a thickness center position of the seed crystal are arraigned coaxially in a seed crystal lifting direction and a variation between a center line SC of a barrel part of a sapphire single crystal and a neck center line NC is set to 0.05 W or less when the barrel part of the sapphire single crystal 2 has a width of W.SELECTED DRAWING: Figure 13 【課題】ネックから直胴部分への移行間隔（ΔＴ）を確実に低減可能にすると共に、ΔＴの低減を製造装置の複雑化や高コスト化を招くこと無く実現することが出来るサファイア単結晶とその製造方法の提供。【解決手段】スリットを有するダイを坩堝に収容し、坩堝に酸化アルミニウム原料を投入して加熱、溶融して酸化アルミニウム融液を用意し、スリット上部に酸化アルミニウム融液溜まりを形成し、その酸化アルミニウム融液に種結晶を接触させ、種結晶を引き上げることで、所望の主面を有するサファイア単結晶２を種結晶からネックを介して成長させ、スリットの中心位置と種結晶の厚み中心位置を、種結晶を引き上げる方向で同軸上に設定して、サファイア単結晶２の直胴部分の幅をＷとしたとき、サファイア単結晶の直胴部分の中心線ＳＣとネックの中心線ＮＣとのずれ量を、0.05Ｗ以下とするサファイア結晶の製造方法。【選択図】図１３