SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND POWER-CONVERSION DEVICE

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the surface morphology of a p-type semiconductor region formed by ion implantation.SOLUTION: A method for manufacturing a semiconductor device comprises: a step for forming, by crystal growth, a semiconductor layer mainly consisting of a Group III nitride and having an n-type property; a film formation step for forming a through film mainly made of an element different from an element acting on the Group III nitride as an n-type impurity by growing it on the semiconductor layer subsequently to the crystal growth of the semiconductor layer; an ion implantation step for performing the ion implantation of a p-type impurity on the semiconductor layer from above the through film; a heating step for activating a region of the semiconductor layer, subjected to ion implantation of the p-type impurity, into a p-type semiconductor region by heating the semiconductor layer and the through film after the end of the ion implantation step; and a removing step for removing the through film from the semiconductor layer after the end of the heating step.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】イオン注入によって形成されるｐ型半導体領域の表面モフォロジを改善する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、III族窒化物から主に成るとともにｎ型の特性を有する半導体層を、結晶成長によって形成する工程と；III族窒化物に対してｎ型不純物として作用する元素とは異なる元素から主に成るスルー膜を、半導体層の結晶成長に連続して半導体層の上に成長させることによって形成する成膜工程と；スルー膜の上から半導体層に対してｐ型不純物をイオン注入するイオン注入工程と；イオン注入工程を終えた後、半導体層およびスルー膜を加熱することによって、ｐ型不純物がイオン注入された半導体層の領域をｐ型半導体領域へと活性化させる加熱工程と；加熱工程を終えた後、半導体層から前記スルー膜を除去する除去工程とを備える。【選択図】図１