MANUFACTURING METHOD FOR HYDROGENATION DIAMOND MISFET HAVING NORMALLY-OFF CHARACTERISTICS

PROBLEM TO BE SOLVED: To clarify the conditions of a manufacturing method for obtaining a hydrogenation diamond channel MISFET performing normally-off operation.SOLUTION: There are some hydrogenation diamond channel MISFET known to perform normally-off operation, but the conditions required for norm...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KOIDE YASUO, MATSUMOTO TAKAO, IMURA MASATAKA, SHIBATA NAOYA, LIAO MEIYONG, IKUHARA YUUICHI, LIU JIANG-WEI
Format:	Patent
Sprache:	eng ; jpn
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	PROBLEM TO BE SOLVED: To clarify the conditions of a manufacturing method for obtaining a hydrogenation diamond channel MISFET performing normally-off operation.SOLUTION: There are some hydrogenation diamond channel MISFET known to perform normally-off operation, but the conditions required for normally-off operation are unknown. We found that a MISFET performing normally-on operation performs normally-off operation, when a multilayer configuration of a gate oxide is annealed at a relatively low temperature in a range of 160°C-350°C.SELECTED DRAWING: Figure 4 【課題】ノーマリーオフ動作する水素化ダイヤモンドチャネルＭＩＳＦＥＴを得るための製造方法上の条件を明らかにする。【解決手段】ノーマリーオフ動作する水素化ダイヤモンドチャネルＭＩＳＦＥＴはいくつか知られていたが、ノーマリーオフ化するために必要な条件は不明であった。本発明では、ゲート酸化物を複数層構成とした上で、１６０℃から３５０℃の範囲という比較的低温でアニールすることで、通常はノーマリーオン動作するこの種のＭＩＳＦＥＴがノーマリーオフ化することを見出した。【選択図】図４