METHODS FOR DETECTING DESIGN AND PROCESS DEFECTS ON WAFER, REVIEWING DEFECTS ON WAFER, SELECTING ONE OR MORE FEATURES WITHIN DESIGN FOR USE AS PROCESS MONITORING FEATURES, OR SOME COMBINATIONS THEREOF

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide various systems and methods for detecting design and process defects on a wafer, reviewing defects on a wafer, selecting one or more features within a design for use as process monitoring features, or some combinations thereof.SOLUTION: A computer subsystem is configured to: compare an image of a die in a design printed on the wafer acquired by the electron beam review subsystem to an image of the die stored in a database so as to detect additional defects in the design; determine locations on the wafer of images to be acquired by the electron beam review subsystem, based on the defects in the design, the additional defects in the design, and defects detected on the wafer by a wafer inspection system; and further use the images acquired at the locations so as to detect design defects and process defects at the locations.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】ウェーハー上の設計欠陥および工程欠陥の検出、ウェーハー上の欠陥の精査、設計内の１つ以上の特徴を工程監視特徴として使用するための選択、またはそのいくつかの組み合わせのための種々のシステムおよび方法を提供する。【解決手段】コンピューターサブシステムは、電子ビーム精査サブシステムにより得られるウェーハー上に印刷された設計内のダイスの画像とデータベースに記憶されているダイスの画像とを比較し、設計内の追加の欠陥を検出するように構成し、更に、設計内の欠陥、設計内の追加欠陥およびウェーハー検査システムにより検出されるウェーハー上の欠陥に基づいて、電子ビーム精査サブシステムによる画像取得対象のウェーハー上の位置を決定するように構成し、更に、その位置で得られた画像を用いて、その位置における設計欠陥および工程欠陥を検出するようにも構成されている。【選択図】図１