SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device having high reliability, high heat dissipation property and low resistance; and provide a semiconductor device manufacturing method capable of manufacturing the semiconductor device with high productivity.SOLUTION: The semiconductor device manufacturing method comprises the step of forming grooves 3 with a predetermined depth d from a surface of a semiconductor wafer 1 in scribe lines 2 formed by selectively removing a surface protection film 13 composed of a thermosetting resin which covers the surface of the semiconductor wafer 1. By forming the groove 3 in the scribe ine 2, an escape route of compression stress applied to the surface side of the semiconductor wafer 1 due to thermal shrinkage of the surface protection film 13 which occurs at the time of baking for forming the surface protection film 13 is ensured. By doing this, compression stress applied to the surface side of the semiconductor wafer 1 is alleviated so that subsequent thinning of the semiconductor wafer 1 becomes easier. The semiconductor device manufacturing method further comprises the steps of: forming a back electrode on a rear face of the thinned semiconductor wafer 1; and subsequently, dicing and singulating the semiconductor wafer 1.SELECTED DRAWING: Figure 6 【課題】信頼性が高く、放熱性が高く、かつ低抵抗な半導体装置を提供すること。当該半導体装置を生産性よく製造することができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体ウエハ１のおもて面を覆う熱硬化性樹脂からなる表面保護膜１３を選択的に除去して形成されたスクライブライン２に、半導体ウエハ１のおもて面から所定深さｄの溝３を形成する。スクライブライン２に溝３を形成することにより、表面保護膜１３を形成するための焼き締め時に生じる表面保護膜１３の熱収縮により半導体ウエハ１のおもて面側にかかる圧縮応力の逃げ道が確保される。これによって、半導体ウエハ１のおもて面側にかかる圧縮応力が緩和されるため、その後、半導体ウエハ１の薄板化が容易となる。そして、薄板化した半導体ウエハ１の裏面に裏面電極を形成した後、半導体ウエハ１をダイシングして個片化する。【選択図】図６