MAGNETIC FIELD DETECTOR

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic field detector capable of effectively applying a bias magnetic field to a free magnetic layer of a GMR element with a current magnetic field.SOLUTION: A full bridge circuit includes a first resistance change unit R1, a second resistance change unit R2, a third resistance change unit R3, and a fourth resistance change unit R4. In each of the resistance change units R1, R2, R3, and R4, a magneto-resistance effect element 10 and current carrying passages 21, 22, 23, and 24 are interconnected in series, and face each other in parallel. When a DC voltage Vdd is applied, current magnetic fields H1, H2, H3, and H4 by currents I1, I2, I3, and I4 flowing through the current carrying passages 21, 22, 23, and 24 act as a bias magnetic field on a free magnetic layer of the magneto-resistance effect element 10, and magnetizations Ha, Hb, Hc, and Hd of the free magnetic layer can be aligned in the short width direction.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】 電流磁界によりＧＭＲ素子のフリー磁性層に効果的にバイアス磁界を与えることができる磁界検出装置を提供する。【解決手段】 第１の抵抗変化部Ｒ１、第２の抵抗変化部Ｒ２、第３の抵抗変化部Ｒ３および第４の抵抗変化部Ｒ４でフルブリッジ回路が構成されている。各抵抗変化部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４では、磁気抵抗効果素子１０と通電路２１，２２，２３，２４とが直列に接続され、且つ互いに平行に対向している。直流電圧Ｖｄｄが与えられると、通電路２１，２２，２３，２４を流れる電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３，Ｉ４による電流磁界Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４が磁気抵抗効果素子１０のフリー磁性層にバイアス磁界として作用し、フリー磁性層の磁化Ｈａ，Ｈｂ，Ｈｃ，Ｈｄを短幅方向に揃えることができる。【選択図】図１