HIGH FREQUENCY MATCHING CIRCUIT BOARD AND MICROWAVE SEMICONDUCTOR DEVICE

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a high frequency matching circuit board capable of transmitting power efficiently from an impedance of 50 Ω to the impedance of a semiconductor element, and to provide a high frequency matching circuit board and a microwave semiconductor device capable of achieving further compaction, while preventing increase in the number of components.SOLUTION: A high frequency matching circuit board 2 includes ceramic layers 3a-3e laminated downward in order. An impedance matching circuit 4a is provided on the upper surface of the ceramic layer 3a, and connected with the upper surface thereof. An impedance matching circuit 4b is provided between the ceramic layers 3b, 3c. An impedance matching circuit 4c is provided between the ceramic layers 3d, 3e. Ground patterns 6a-6c are provided just under the impedance matching circuits 4a-4c. The dielectric constant ε1 of the ceramic layer 3a is larger than the dielectric constant ε3 of the ceramic layer 3a, and the dielectric constant ε3 of the ceramic layer 3c is larger than the dielectric constant ε5 of the ceramic layer 3e.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】５０オームから半導体素子のインピーダンスへ電力を効率良く伝達させることができ、部品点数の増加を防ぎ、更なる小型化を実現することができる高周波整合回路基板及びマイクロ波半導体装置を得る。【解決手段】高周波整合回路基板２は、下方に順に積層されたセラミック層３ａ〜３ｅを備える。インピーダンス整合回路４ａがセラミック層３ａの上面に設けられ、半導体素子１に接続される。インピーダンス整合回路４ｂがセラミック層３ｂとセラミック層３ｃの間に設けられている。インピーダンス整合回路４ｃがセラミック層３ｄとセラミック層３ｅの間に設けられている。グランドパターン６ａ〜６ｃがインピーダンス整合回路４ａ〜４ｃの真下に設けられている。セラミック層３ａの誘電率ε１はセラミック層３ｃの誘電率ε３より大きく、セラミック層３ｃの誘電率ε３はセラミック層３ｅの誘電率ε５より大きい。【選択図】図１