EPITAXIAL WAFER FOR HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an epitaxial wafer for a heterojunction bipolar transistor capable of reducing resistance of a sub-collector layer without reducing a current amplification factor and a heterojunction bipolar transistor.SOLUTION: An epitaxial wafer 100 for a heterojunction bipolar tr...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; jpn |
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| Zusammenfassung: | PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an epitaxial wafer for a heterojunction bipolar transistor capable of reducing resistance of a sub-collector layer without reducing a current amplification factor and a heterojunction bipolar transistor.SOLUTION: An epitaxial wafer 100 for a heterojunction bipolar transistor includes a sub-collector layer 102, composed of n-type GaAs. The sub-collector layer 102 includes: an n-type impurity of a covalent bond radius smaller than a covalent bond radius of a substitution site; and an n-type impurity of a covalent bond radius larger than the covalent bond radius of the substitution site.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】電流増幅率を低下させること無しにサブコレクタ層の抵抗を低下させることが可能なヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ及びヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。【解決手段】ｎ型ＧａＡｓからなるサブコレクタ層１０２を備えるヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ１００において、サブコレクタ層１０２は、置換サイトよりも共有結合半径が小さいｎ型不純物と置換サイトよりも共有結合半径が大きいｎ型不純物とを含有しているものである。【選択図】図１ |
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