SCHOTTKY BARRIER DIODE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide low forward initial voltage by controlling and reducing a barrier height of a Schottky barrier diode.SOLUTION: A Schottky barrier diode comprises a Schottky metal layer 20, an n-type main semiconductor layer 10 and a barrier height adjustment layer 30 provided betwee...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SAITO KATSUTOSHI, MIYAGAWA HISAYUKI, KIMURA CHIKAO, HONMA KOJI, HONMA YASUYUKI
Format:	Patent
Sprache:	eng ; jpn
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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