SCHOTTKY BARRIER DIODE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide low forward initial voltage by controlling and reducing a barrier height of a Schottky barrier diode.SOLUTION: A Schottky barrier diode comprises a Schottky metal layer 20, an n-type main semiconductor layer 10 and a barrier height adjustment layer 30 provided betwee...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: SAITO KATSUTOSHI, MIYAGAWA HISAYUKI, KIMURA CHIKAO, HONMA KOJI, HONMA YASUYUKI
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:PROBLEM TO BE SOLVED: To provide low forward initial voltage by controlling and reducing a barrier height of a Schottky barrier diode.SOLUTION: A Schottky barrier diode comprises a Schottky metal layer 20, an n-type main semiconductor layer 10 and a barrier height adjustment layer 30 provided between the Schottky metal layer 20 and the n-type semiconductor layer 10. The barrier height adjustment layer 30 is n-type and a carrier concentration is made higher than that of the n-type semiconductor layer 10. An absolute value of an electron affinity of the barrier height adjustment layer 30 is larger than or equal to an absolute value of an electron affinity of the main semiconductor layer 10 and the absolute value of the electron affinity of the barrier height adjustment layer 30 is smaller than an absolute value of a work function of the Schottky metal layer 20. The barrier height adjustment layer 30 has a thickness of causing quantum-mechanical tunnel effect of an electron, and by adjusting a carrier concentration of a thickness, or both of the barrier height adjustment layer 30, an effective barrier height of the Schottky barrier diode is controlled and reduced.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】ショットキーバリヤダイオードのバリヤハイトを制御・低減することにより、低い順方向立ち上がり電圧を提供する。【解決手段】ショットキーバリヤダイオードを構成するショットキー金属層20とn型主半導体層10との間にバリヤハイト調整層30を設ける。バリヤハイト調整層30はn型であり、そのキャリヤ濃度をn型主半導体層10よりも高くする。バリヤハイト調整層30の電子親和力の絶対値は主半導体層10の電子親和力の絶対値よりも大きいか又は等しい関係で、さらに、バリヤハイト調整層30の電子親和力の絶対値はショットキー金属層20の仕事関数の絶対値よりも小さい。バリヤハイト調整層30は電子の量子力学的トンネル効果が生じる厚さを有し、バリヤハイト調整層30のキャリヤ濃度又は厚さ、あるいは双方を調節することによりショットキーバリヤダイオードの実効的なバリヤハイトを制御し、低減する。【選択図】図1