WAFER MANUFACTURING METHOD, AND MULTIPLE WIRE-ELECTRIC DISCHARGE MACHINING APPARATUS
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer manufacturing method and a multiple wire-electrical discharge machining apparatus capable of slicing a wafer flatly.SOLUTION: In the case where the oscillation angle of an ingot is within a predetermined range, the ingot is oscillated at a high velocity. In t...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; jpn |
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Zusammenfassung: | PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer manufacturing method and a multiple wire-electrical discharge machining apparatus capable of slicing a wafer flatly.SOLUTION: In the case where the oscillation angle of an ingot is within a predetermined range, the ingot is oscillated at a high velocity. In the case where the oscillation angle of the ingot is not within the predetermined range, the ingot is oscillated at a low velocity. As a result, it is possible to avoid the concentration of the electrical discharge machining from being concentrated at the processed area of the center of the ingot. Thus, the electric discharge work can be executed substantially equivalently in the processed area of the ingot, so that the groove width of the worked groove of the ingot can be equally formed. As a result, it is possible to prevent the central vicinity of the wafer formed from the ingot from being recessed.SELECTED DRAWING: Figure 4
【課題】ウェーハを平坦にスライスすることができるウェーハの製造方法及びマルチワイヤ放電加工装置を提供する。【解決手段】インゴットの揺動角度が所定の範囲に含まれる場合、速い速度でインゴットを揺動させる。一方、インゴットの揺動角度が所定の範囲に含まれない場合、遅い速度でインゴットを揺動させる。これにより、インゴットの中央の加工領域に放電加工が集中することを回避できる。従って、インゴットの加工領域において放電加工が略等しく実施されるので、インゴットの加工溝の溝幅を等しく形成できる。これにより、インゴットから形成されたウェーハの中央付近が凹むことを防止できる。【選択図】図4 |
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