SILICON ETCH AND CLEAN

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for etching features into a silicon-containing etch layer.SOLUTION: The etch layer is placed in a plasma processing chamber. An etch gas is flowed into the plasma processing chamber. The etch gas is formed into etch plasma, where the etch plasma etches features in the silicon-containing layer leaving a silicon-containing residue. The flow of the etch gas into the plasma processing chamber is stopped. A dry cleaning gas is flowed into the plasma processing chamber, where the dry cleaning gas comprises NHand NF. The dry clean gas is formed into plasma. The silicon-containing residue is exposed to the dry cleaning gas plasma, and at least some or all of the silicon containing residue is formed into ammonium-containing compounds The flow of the dry cleaning gas is stopped. The ammonium compounds are sublimated from the layers.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】シリコン含有エッチング層にフィーチャをエッチングするための方法を提供する。【解決手段】エッチング層がプラズマ処理室内に配置される。プラズマ処理室内にエッチングガスを流入させる。エッチングガスからエッチングプラズマを生成させる。エッチングプラズマはシリコン含有層にシリコン含有残渣を残してフィーチャをエッチングする。プラズマ処理室内へのエッチングガスの流入を停止させる。プラズマ処理室内にドライクリーニングガスを流入させ、ドライクリーニングガスは、ＮＨ3およびＮＦ3を含む。ドライクリーニングガスからプラズマを生成させる。シリコン含有残渣はドライクリーニングガス・プラズマに暴露され、シリコン含有残渣の少なくとも一部または全てはアンモニウム含有化合物を生成させる。ドライクリーニングガスの流入を停止させる。アンモニウム化合物を層から昇華させる。【選択図】図１