FILM DEPOSITION APPARATUS

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique that has high replaceability between a reactant gas and a replacement gas and achieves film deposition of high in-plane uniformity using a film deposition apparatus where film deposition is carried out by supplying in order a plurality of kinds of reactant gas reactive to each other in a vacuum atmosphere, alternately supplying the replacement gas.SOLUTION: Gas ejection holes 511 of a shower head 5 installed above a stand 2 of a wafer W are arranged in wider region than the wafer W. In a diffusion space 50 above the shower head 5, there are arranged a plurality of first and second gas dispersion units 4A, 4B having gas discharge ports 52 formed on the side surface so as to disperse the gas toward the lateral direction. Four first gas dispersion units 4A are arranged along an inner first circle having its center at the central part of a substrate, while eight second gas dispersion units 4B are arranged along a second circle outside the first circle.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】真空雰囲気にて互いに反応する複数種類の反応ガスを置換用のガスの供給を介して順番に供給して成膜処理を行う成膜装置において、反応ガスと置換用のガスとの置換性が高く、面内均一性の高い成膜処理を行うことができる技術を提供すること。【解決手段】ウエハＷの載置台２の上方に設けられたシャワーヘッド５のガス噴出孔５１１をウエハＷよりも広い領域に配置すると共に、このシャワーヘッド５の上の拡散空間５０に、横方向にガスを分散させるようにその周方向に沿ってガス吐出口５２が形成された複数の第１及び第２のガス分散部４Ａ、４Ｂを配置している。そして基板の中心部を中心とする内側の第１の円に沿って４個の第１のガス分散部４Ａを設け、更に第１の円の外側の第２の円に沿って８個の第２のガス分散部４Ｂを用いている。【選択図】図３