SEMICONDUCTOR DEVICE

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which can achieve downsizing, high integration, high functionality, high heat dissipation performance, low inductance and low impedance of an inverter IC.SOLUTION: A semiconductor device 100 comprises: diode chips 4a, 4b, 4c, 4d; an inverter IC chip 1 which is electrically connected with P pole faces of the diode chips 4a, 4b, 4c, 4d and includes a part of an output circuit 2 and a part of a control circuit 3; and a substrate 8 which is electrically connected win N pole faces of the diode chips 4a, 4b, 4c, 4d directly or via a bump 7 and electrically connected with the inverter IC chip 1 via the bump 7. In the semiconductor device 100, the diode chips 4a, 4b, 4c, 4d are laminated on one surface of the inverter IC chip 1 on a part of the control circuit 3, and another surface of the inverter IC chip 1 is located on the external side.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】インバータＩＣの小型高集積化、高機能化、高放熱化、低インダクタンス化および低インピーダンス化を実現することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１００は、ダイオードチップ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄと、ダイオードチップ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄのＰ極面と電気的に接続され、かつ出力回路２の部分および制御回路３の部分を備えたインバータＩＣチップ１と、ダイオードチップ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄのＮ極面と直接またはバンプ７を介して電気的に接続され、かつインバータＩＣチップ１とバンプ７を介して電気的に接続される基板８と、を備える。半導体装置１００は、インバータＩＣチップ１の一方の面の制御回路３の部分にダイオードチップ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを積層し、インバータＩＣチップ１の他方の面が外部側に位置する。【選択図】図１