MAGNETIC RESISTANCE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetoresistance effect element capable of reducing a leakage magnetic field, and further to provide a magnetic memory using the magnetoresistance effect element.SOLUTION: A magnetic resistance element comprises: a first magnetic layer having perpendicular magnetic anisotropy; a second magnetic layer having the perpendicular magnetic anisotropy; and a first non-magnetic layer provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The second magnetic layer is provided with a magnetic material containing at least one element selected from a first group consisting of Mn, Fe, Co and Ni, at least one element selected from a second group consisting of Ru, Rh, Pd, Ag, Os, Ir, Pt and Au, and at least one element selected from a third group consisting of Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and Lu.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】本実施形態は、漏洩磁界を低減することができる磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気メモリを提供する。【解決手段】本実施形態による磁気抵抗素子は、垂直磁気異方性を有する第１磁性層と、垂直磁気異方性を有する第２磁性層と、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、を備え、前記第２磁性層は、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉからなる第１群から選択される少なくとも１つの元素と、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、およびＡｕからなる第２群から選択される少なくとも１つの元素と、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、およびＬｕからなる第３群から選択される少なくとも１つの元素と、を含む磁性体を備える。【選択図】図１