SEMICONDUCTOR DEVICE

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which inhibits deterioration in threshold voltage to achieve a favorable transistor operation.SOLUTION: A semiconductor device comprises a gate electrode 10, a first insulation film 210 (gate insulation film), an oxide semiconductor film 220, a second insulation film 230, a source electrode 13, source wiring 12, a drain electrode 15 and drain wiring 14. The first insulation film is arranged on the gate electrode. The oxide semiconductor film is arranged on the first insulation film. The second insulation film is arranged on the oxide semiconductor film. The source electrode is arranged in the second insulation film to be connected to the oxide semiconductor film. The source wiring is arranged on the second insulation film so as not to overlap a channel part to be connected to the source electrode. The drain electrode is arranged in the second insulation film to be connected to the oxide semiconductor film. The drain wiring is arranged on the second insulation film so as not to overlap the channel part to be connected to the drain electrode.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】閾値電圧の劣化を抑制し良好なトランジスタ動作する半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート電極１０と、第１の絶縁膜２１０（ゲート絶縁膜）と、酸化物半導体膜２２０と、第２の絶縁膜２３０と、ソース電極１３と、ソース配線１２と、ドレイン電極１５と、ドレイン配線１４と、を備えている。第１の絶縁膜は、ゲート電極上に配置される。酸化物半導体膜は、第１の絶縁膜上に配置される。第２の絶縁膜は、酸化物半導体膜上に配置される。ソース電極は、第２の絶縁膜中に配置されて酸化物半導体膜に接続される。ソース配線は、チャネル部上に重ならないように第２の絶縁膜上に配置され、ソース電極に接続される。ドレイン電極は、第２の絶縁膜中に配置されて酸化物半導体膜に接続される。ドレイン配線は、チャネル部上に重ならないように第２の絶縁膜上に配置され、ドレイン電極に接続される。【選択図】図１