SEMICONDUCTOR DEVICE

PURPOSE: To provide a semiconductor device which inhibits deterioration in threshold voltage to allow a favorable transistor operation.CONSTITUTION: A semiconductor device of an embodiment comprises a gate electrode 10, a first insulation film 210, an oxide semiconductor film 220, a second insulation film 230, a source electrode 13, a source interconnection 12, a drain electrode 15, a drain interconnection 14 and barrier films 18, 19. The source interconnection is arranged on the second insulation film and connected to the source electrode. The drain electrode is arranged in the second insulation film and connected to the oxide semiconductor film. The drain interconnection is arranged on the second insulation film and connected to the drain electrode. At least one of the source interconnection and the drain interconnection has a fringe part 22, 24 which hangs over a channel. The barrier film is arranged in contact with at least one of a top face and an undersurface of the fringe part to inhibit entry of hydrogen. The semiconductor device has an area on the channel, where the barrier film is not formed.SELECTED DRAWING: Figure 1 【目的】閾値電圧の劣化を抑制し良好なトランジスタ動作することが可能な半導体装置を提供する。【構成】実施形態の半導体装置は、ゲート電極１０と、第１の絶縁膜２１０と、酸化物半導体膜２２０と、第２の絶縁膜２３０と、ソース電極１３と、ソース配線１２と、ドレイン電極１５と、ドレイン配線１４と、バリア膜１８，１９と、を備えている。ソース配線は、前記第２の絶縁膜上に配置され、前記ソース電極に接続される。ドレイン電極は、前記第２の絶縁膜中に配置されて前記酸化物半導体膜に接続される。ドレイン配線は、前記第２の絶縁膜上に配置され、前記ドレイン電極に接続される。前記ソース配線及び前記ドレイン配線の少なくとも一方は、チャネル上に張り出したフリンジ部２２，２４を有する。バリア膜は、前記フリンジ部の上面と下面の少なくとも一方に接触して配置され、水素の侵入を抑制する。そして、前記チャネル上に前記バリア膜が形成されない領域を有する。【選択図】図１