FLASH MEMORY STRUCTURE, AND METHOD OF PRODUCING FLASH MEMORY STRUCTURE

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flash memory structure and a method of producing a flash memory structure.SOLUTION: In order to cover a substrate 10, a first insulating layer 12', a first conductive layer 14' and a second insulating layer 16' are formed. A first trench 20 is formed in the first conductive layer 14' and second insulating layer 16'. A second conductive layer 22' and a mask layer 24' are formed to cover the second insulating layer 16', and the second conductive layer 22' fills the first trench 20. Subsequently, a patterned mask layer 24' is formed. A spacer 30 is formed on the side of the patterned mask layer 24'. Etching is performed using the patterned mask layer 24' and second conductive layer 22', as a mask, so as to form a first gate structure 14' and a second gate structure 22'.SELECTED DRAWING: Figure 7 【課題】フラッシュメモリ構造及びフラッシュメモリ構造を製造する方法を提供する。【解決手段】基体１０を覆うために、第１の絶縁層１２'、第１の導電層１４'及び第２の絶縁層１６'が形成される。第１のトレンチ２０が、第１の導電層１４'及び第２の絶縁層１６'において形成される。第２の導電層２２'及びマスク層２４'が第２の絶縁層１６'を覆うように形成され、第２の導電層２２'が第１のトレンチ２０を満たす。次に、パターニングされたマスク層２４'を形成する。スペーサ３０が、パターニングされたマスク層２４'の側面に形成される。第１のゲート構造１４'及び第２のゲート構造２２'を形成するように、パターニングされたマスク層２４'及びスペーサ３０をマスクとして使用して、エッチング処理が実行される。【選択図】図７