PLASMA ETCHING METHOD

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress material loss by performing pretreatment of a substrate, thereby enhancing selectivity to a film of etching object.SOLUTION: A surface of a substrate W is subjected to hydrogen termination in a pretreatment process and inactivated, and the easiness of hydrogen termination depends on the film type. Consequently, in the etching process, the chemical reactivity in a polysilicon film F2 can be worsened, while the chemical reactivity in a silicon nitride film F1 is kept as it is. As a result, the silicon nitride film F1 is etched by the plasma of nitrogen trifluoride gas, but the polysilicon film F2 can be less likely to be etched. Material loss can be suppressed by enhancing selectivity to the silicon nitride film F1 to be etched.SELECTED DRAWING: Figure 7 【課題】基板に対して前処理を施すことにより、エッチング対象の膜への選択性を向上させてマテリアルロスを抑制できる。【解決手段】前処理工程において基板Ｗの表面が水素終端化されて不活性化されるが、シリコン窒化膜Ｆ１とポリシリコン膜Ｆ２の表面における水素終端化のされやすさは膜種によって異なる。したがって、エッチング処理工程では、シリコン窒化膜Ｆ１における化学反応性をそのままに、ポリシリコン膜Ｆ２における化学反応性を悪くすることができる。その結果、シリコン窒化膜Ｆ１は、三フッ化窒素ガスのプラズマにより発生するラジカルによってエッチングされるが、ポリシリコン膜Ｆ２はエッチングされにくくできる。よって、エッチング対象であるシリコン窒化膜Ｆ１への選択性を向上させてマテリアルロスを抑制できる。【選択図】図７