METHOD AND APPARATUS FOR STORING DATA IN MULTI-LEVEL CELL FLASH MEMORY DEVICE BY USING CROSS-PAGE SECTORS, MULTI-PAGE CODING, AND PER-PAGE CODING

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and an apparatus for storing data in a multi-level cell flash memory device by using cross-page sectors, multi-page coding, and per-page coding.SOLUTION: A single sector can be stored across a plurality of pages in a flash memory device. Per-page control of...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: JOHNSON YEN, MILOS IVKOVICH, ANDREI VITYAEV, HARLEY F BURGER JR, CLIFTON WILLIAMSON, ERICH F HARATSCH, VICTOR KRACHKOVSKY
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and an apparatus for storing data in a multi-level cell flash memory device by using cross-page sectors, multi-page coding, and per-page coding.SOLUTION: A single sector can be stored across a plurality of pages in a flash memory device. Per-page control of the number of sectors in each page, and a code and/or code rate used for encoding and decoding a given page, and a decoder or decoding algorithm used for decoding a given page are provided. A multi-page access scheme and a word line level access scheme are also provided.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】クロス・ページ・セクタ、マルチ・ページ符号化およびパー・ページ符号化を使用して多重レベル・セル・フラッシュ・メモリ・デバイスにデータを記憶するための方法および装置が提供される。【解決手段】フラッシュ・メモリ・デバイス内の複数のページにわたって単一セクタを記憶することができる。個々のページにおけるセクタの数、ならびに所与のページを符号化および復号化するために使用される符号および/または符号レート、および所与のページを復号化するために使用される復号器または復号化アルゴリズムのパー・ページ制御が提供される。また、マルチ・ページ・アクセス・スキームおよび語線レベル・アクセス・スキームが提供される。【選択図】図1