PLASMA ETCHING DEVICE

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent plasma irradiation on a focus ring in a plasma etching device that etches a wafer coated with a resist by use of plasma.SOLUTION: A plasma etching device includes: an electrostatic chuck 2 that is disposed on a base 1 and to mount a wafer 10; a focus ring 4 that is disposed in a periphery of the electrostatic chuck 2 above the base 1 and that is made thin in the electrostatic chuck 2 side so as to prevent interference with the wafer 10; and a protective cover 5 that is applied in an outer peripheral part on the wafer 10 and covers a thin part 41 of the focus ring 4 when the wafer 10 is mounted on the electrostatic chuck 2.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】レジストが塗られたウエハに対してプラズマによりエッチングを行うプラズマエッチング装置において、フォーカスリングへのプラズマの照射を防ぐ。【解決手段】基部１上に配置され、ウエハ１０が載置される静電チャック２と、基部１上の静電チャック２の周囲に配置され、静電チャック２側がウエハ１０と干渉しないよう肉薄であるフォーカスリング４と、ウエハ１０上の外周部分に被せられ、当該ウエハ１０が静電チャック２上に載置されることでフォーカスリング４の肉薄部分４１を覆う保護カバー５とを備えた。【選択図】図１