LASER WITH QUANTUM WELLS HAVING HIGH INDIUM AND LOW ALUMINUM, WITH BARRIER LAYERS HAVING HIGH ALUMINUM AND LOW INDIUM, AND WITH REDUCED TRAPS

PROBLEM TO BE SOLVED: To avoid formation of traps at an interface between quantum wells and quantum well barriers.SOLUTION: A VCSEL includes: one or more quantum wells having (Al)InGaAs; two or more quantum well barriers having Al(In)GaAs bonding one or more quantum well layers; and one or more transitional monolayers deposited between each quantum well layer and quantum well barrier, where the quantum wells, the barriers and the transitional monolayers can be substantially configured to have no trap. The one or more transitional monolayers include GaP, GaAs, and/or GaAsP. Alternatively, the VCSEL includes two or more transitional monolayers of AlInGaAs, and can be configured so that a barrier-side monolayer has lower In and higher Al compared to a quantum well-side monolayer that has higher In and lower Al.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】 量子井戸と量子井戸バリアとの間の界面でのトラップ形成を回避する。【解決手段】 ＶＣＳＥＬが、（Ａｌ）ＩｎＧａＡｓを有する１つまたは複数の量子井戸と、１つまたは複数の量子井戸層を結合するＡｌ（Ｉｎ）ＧａＡｓを有する２つまたはそれより多くの量子井戸バリアと、それぞれの量子井戸層と量子井戸バリアとの間に堆積された１つまたは複数の遷移単一層と、を含んでいて、量子井戸、バリア、および遷移単一層は実質的にトラップを有していないように構成できる。１つまたは複数の遷移単一層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、および／またはＧａＡｓＰを含む。あるいは、このＶＣＳＥＬは、ＡｌＩｎＧａＡｓの２つまたはそれより多くの遷移単一層を含んでおり、より高いＩｎおよびより低いＡｌを有する量子井戸側の単一層と比較すると、バリア側の単一層がより低いＩｎおよびより高いＡｌを有するようにも構成可能である。【選択図】図２