METHOD FOR MANUFACTURING Cu WIRING

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a Cu wiring, capable of suppressing a burying failure by suppressing the formation of a Cu lump at a trench bottom.SOLUTION: In a method for manufacturing a Cu wiring, a barrier film is formed on a substrate having an interlayer insulting film on the surface of which a trench with a predetermined pattern is formed, a Ru film is formed by CVD, and a Cu film is formed on the Ru film to bury the trench. In forming the Cu film, an iPVD device is used. At first, treatment is performed in a condition in which a Cu film or a Cu alloy film to be deposited is sputtered by the action of ions of plasma generating gas, a Cu film is formed at a corner of the bottom of the trench while a Cu film or a Cu alloy film to be deposited is sputtered, and then a Cu film is buried in the trench in a condition in which a Cu film is formed at a field part of the substrate and a Cu film at the field part is reflowed in the trench by the action of ions of plasma generating gas. 【課題】トレンチ底でのＣｕ塊の形成を抑制して埋め込み不良を抑制することができるＣｕ配線の製造方法を提供する。【解決手段】表面に所定パターンのトレンチが形成された層間絶縁膜を有する基板に対し、バリア膜を形成し、ＣＶＤによりＲｕ膜を形成し、その上にＣｕ膜を形成してトレンチを埋め込んでＣｕ配線を製造するにあたり、Ｃｕ膜を形成する際には、ｉＰＶＤ装置を用い、最初に、成膜されるＣｕ膜またはＣｕ合金膜がプラズマ生成ガスのイオンの作用によりリスパッタリングされる条件で処理を行い、成膜されるＣｕ膜またはＣｕ合金膜をリスパッタリングしつつトレンチの底部の角部にＣｕ膜を形成し、次いで、基板のフィールド部にＣｕ膜が形成され、かつフィールド部のＣｕ膜がプラズマ生成ガスのイオンの作用によりトレンチ内にリフローされる条件で、トレンチ内にＣｕ膜を埋め込む。【選択図】 図２