SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve characteristics of a semiconductor device.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a MOSFET having a gate electrode GE formed on a semiconductor layer via a gate insulation layer GI and source and drain regions (s, d) formed in the semiconductor layer on both sides of the gate electrode GE; and a diode. The diode has an ntype semiconductor region NP, a p type semiconductor region PR and a ptype semiconductor region PP. The gate electrode GE is connected to the ntype semiconductor region NP via an n type semiconductor region NR which is formed to be connected to the ntype semiconductor region NP. In addition, the ptype semiconductor region PP is connected to a semiconductor layer below the gate electrode GE. As described above, by providing the diode between a back gate BG and the gate electrode GE of the MOSFET, breakdown of the gate insulation film GI can be prevented. 【課題】半導体装置の特性の向上を図る。【解決手段】本半導体装置は、半導体層上にゲート絶縁膜ＧＩを介して形成されたゲート電極ＧＥと、ゲート電極ＧＥの両側の半導体層中に形成されたソース、ドレイン領域（ｓ、ｄ）と、を有するＭＯＳＦＥＴと、ダイオードと、を有する。ダイオードは、ｎ＋型半導体領域ＮＰと、ｐ型半導体領域ＰＲと、ｐ＋型半導体領域ＰＰと、を有する。そして、ゲート電極ＧＥは、ｎ＋型半導体領域ＮＰと接続されるように形成されたｎ型半導体領域ＮＲを介してｎ＋型半導体領域ＮＰと接続されている。また、ｐ＋型半導体領域ＰＰは、ゲート電極ＧＥの下方の半導体層と接続されている。このように、ＭＯＳＦＥＴのバックゲートＢＧとゲート電極ＧＥとの間に、ダイオードを設けることで、ゲート絶縁膜ＧＩの破壊を防止することができる。【選択図】図２