METHOD FOR DRAWING UP SINGLE CRYSTAL

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve a yield by shortening a draw up time from initiation of trunk formation to separation of a single crystal from melt and drawing up the single crystal without generating dislocation.SOLUTION: A method for drawing up a single crystal includes a first step for forming a trunk C2, a second step for forming a downward-protruding part C3 protruding downward at the crystal end in the final step of trunk formation after the first step, a third step for separating the downward-protruding part formed in the second step from a silicon melt. A magnetic flux density in a horizontal magnetic field, a crystal drawing up speed, and a crystal rotational speed are set lower in the second step than in the first step by 800-1,000 Gause, 0.2-0.5 mm/min. and 1-3 rpm, respectively. A crucible rotational speed is controlled to be in the range of 0.5-5 rpm. 【課題】直胴部形成開始から単結晶を融液から切り離すまでの引き上げ時間を短縮し、有転位化させることなく単結晶を引き上げ、歩留まりを向上する。【解決手段】直胴部Ｃ２を形成する第１の工程と、前記第１の工程後、直胴部形成の最終工程において結晶下端に下方に突出する下凸形状Ｃ３を形成する第２の工程と、前記第２の工程において形成された前記下凸形状を前記シリコン溶融液から切り離す第３の工程とを含み、前記第２の工程において、前記第１の工程よりも、水平磁場の磁束密度を８００〜１０００Ｇａｕｓｓ、結晶引き上げ速度を０．２〜０．５ｍｍ／ｍｉｎ、結晶回転速度を１〜３ｒｐｍの範囲に低く制御し、ルツボ回転速度を０．５〜５ｒｐｍの範囲に制御する。【選択図】図２