NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SUBSTRATE LOT AND METHOD FOR FORMING ORIENTATION FLAT

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a nitride semiconductor substrate preferably used for manufacturing a laser diode element, etc., and having a small wavy orientation flat; a substrate lot having a small width of variation in orientation of the orientation flat; and a method capable of forming orientation flats on all semiconductor substrates with high orientation accuracy.SOLUTION: The nitride semiconductor substrate has an orientation flat having a surface waviness Wcm of less than 2 μm. The substrate lot has less than 0.2° of a width of variation in orientation of an orientation flat among a plurality of nitride semiconductor substrates constituting the lot. The method for forming an orientation flat in a nitride semiconductor substrate comprises: preparing a nitride semiconductor substrate having a temporary OF; checking an orientation deviation of the temporary OF; placing the nitride semiconductor substrate on a work table of a cutting device using the temporary OF as a direction reference; correcting the direction of the nitride semiconductor substrate on the work table according to the orientation deviation of the temporary OF checked as described above; and cutting the nitride semiconductor substrate by the cutting device to form an orientation flat. 【課題】レーザダイオード素子等の製造に好ましく用い得る、うねりの小さいオリフラを有する窒化物半導体基板、オリフラ方位の変動幅の小さい基板ロット、あらゆる窒化物半導体基板に方位精度よくオリフラを形成できる方法を提供する。【解決手段】表面うねりＷｃｍが２μｍ未満のオリエンテーション・フラットを有する窒化物半導体基板。ロットを構成する複数枚の窒化物半導体基板間におけるオリエンテーション・フラット方位の変動幅が０．２?未満である基板ロット。窒化物半導体基板にオリエンテーション・フラットを形成する方法。仮ＯＦを有する窒化物半導体基板を準備、仮ＯＦの方位ズレを調べ、仮ＯＦを方向の基準に用いて、窒化物半導体基板を、切断装置のワークテーブル上に設置し、ワークテーブル上の窒化物半導体基板の方向を、上記で調べた仮ＯＦの方位ズレに応じて修正し、切断装置で窒化物半導体基板を切断してオリエンテーション・フラットを形成する。【選択図】図５