SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device and a manufacturing method of the same, which can further reduce the occurrence of noise in a bipolar transistor.SOLUTION: A manufacturing method of a semiconductor device comprising a bipolar transistor using a polysilicon film for an emitter electrode comprises: a process of forming a collector region 10 in an Si substrate 1; a process of forming a base layer 30 on the collector region 10; a process of forming an insulation film 40 on the base layer 30; a process of forming a polysilicon film 43 on the insulation film 40; a process of etching the polysilicon film 43 and the insulation film 40 to form an emitter opening 45 by making a bottom face of the base layer 30; a process of forming a chemical oxide film 44 on the base layer 30 expose at the emitter opening 45; a process of forming on the chemical oxide film 44, an emitter electrode 50 containing an impurity; and a process of introducing the impurity from the emitter electrode 50 to the base layer 30 to form an emitter region 39. 【課題】バイポーラトランジスタにおけるノイズの発生をさらに低減できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】エミッタ電極にポリシリコン膜を使用したバイポーラトランジスタを備える半導体装置の製造方法であって、Ｓｉ基板１にコレクタ領域１０を形成する工程と、コレクタ領域１０上にベース層３０を形成する工程と、ベース層３０上に絶縁膜４０を形成する工程と、絶縁膜４０上にポリシリコン膜４３を形成する工程と、ポリシリコン膜４３と絶縁膜４０とをエッチングして、ベース層３０を底面とするエミッタ開口部４５を形成する工程と、エミッタ開口部４５において露出したベース層３０上にケミカル酸化膜４４を形成する工程と、ケミカル酸化膜４４上に不純物を含んだエミッタ電極５０を形成する工程と、エミッタ電極５０からベース層３０に不純物を導入してエミッタ領域３９を形成する工程と、を有している。【選択図】図１